[发明专利]一种GaSb基InSb量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 202010066837.1 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244761B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;张晓蕾;王庶民;岳丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0304;H01L31/0352;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种GaSb基InSb量子点及其制备方法，该GaSb基InSb量子点的制备方法包括以下步骤：获取GaSb衬底；将GaSb衬底放入分子束外延生长室进行脱氧处理；在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上生长AlAs形核层；在AlAs形核层上生长InSb量子点层。本申请实施例提供的GaSb基InSb量子点的制备方法中，在生长InSb量子点之前先生长原子层尺度的AlAs层，利用AlAs和GaSb之间较大的晶格失配以及表面能差异来形成有效的AlAs形核层；该制备方法既可以改变InSb量子点成核界面的阴离子类型又可以增加InSb量子点生长界面的粗糙度，二者都可以降低In原子的扩散长度，提高InSb量子点的形核中心，从而提高InSb量子点的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gasb insb 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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