[发明专利]一种磷硅镉多晶料的高压合成装置及方法有效
| 申请号： | 202010068928.9 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111254492B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B29/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王素平 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磷硅镉多晶料的高压合成装置及方法，所述装置包括合成料舟、可密封石英管、高压炉体、温度控制单元、压力控制单元；所述高压炉体包括外壳、加热元件、高压炉管，所述加热元件与外壳之间设置有保温层，所述高压炉管开口端配有法兰，另一端封口；所述温度控制单元包括控温热电偶和温度控制仪表，所述控温热电偶两端分别与温度控制仪表和加热元件连接；所述压力控制单元包括依次连接的进气阀、压力表、排气阀、安全泄压阀，所述进气阀另一端与高压炉管开口端连接；所述可密封石英管位于高压炉管内，所述合成料舟位于可密封石英管内。采用该装置可单次制备出大批量的高纯度的磷硅镉多晶料，用于高质量的磷硅镉单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷硅镉 多晶 高压 合成 装置 方法 | ||
【主权项】：
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