[发明专利]半导体器件和其制造方法在审
| 申请号： | 202010070601.5 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112542509A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;吕俊颉;江宏礼;陈自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例是有关于一种半导体器件以及其制造方法。本公开实施例提供一种半导体器件，包含衬底、第一多晶材料图案、第一导电元件、第一半导体层以及第一栅极结构。第一多晶材料图案在衬底上方且从衬底向外突出，其中第一多晶材料图案包含第一有源部分和接合到第一有源部分的第一多晶材料部分。第一导电元件在衬底上方，其中第一导电元件包含第一多晶材料部分以及覆盖所述第一多晶材料部分的顶表面和侧壁中的至少一个的第一金属导电部分。第一半导体层在衬底上方并且覆盖第一多晶材料图案的第一有源部分和第一导电元件。第一栅极结构在第一半导体层上方且位于第一有源部分内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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