[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010071395.X | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112447902A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 大出裕之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种耗电较低的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1配线及第2配线，在第1方向上排列，且在与第1方向交叉的第2方向上延伸；第3配线，设置在第1配线及第2配线之间，且在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸；第1相变层，设置在第1配线与第3配线之间；第1导电层，设置在第1相变层的第1配线侧的面；第2导电层，设置在第1相变层的第3配线侧的面；第2相变层，设置在第3配线与第2配线之间；第3导电层，设置在第2相变层的第3配线侧的面；以及第4导电层，设置在第2相变层的第2配线侧的面。第1导电层及第4导电层的导热率大于第2导电层及第3导电层的导热率、或小于第2导电层及第3导电层的导热率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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