[发明专利]形成导电区域的方法和用于发光二极管的电性接触结构有效
申请号: | 202010071777.2 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN112054103B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 陈立宜;林怡菁 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在发光二极管的顶表面上形成导电区域的方法,包括:准备基板,基板具有顶表面,导电垫在顶表面上;将发光二极管粘合至导电垫,发光二极管具有第一型和第二型半导体层以及主动层;形成聚合物层于基板上,使得从聚合物层的第一表面到基板的顶表面的距离和从聚合物层的第二表面到发光二极管的顶表面的距离之间的差异大于从第二型半导体层与主动层之间的界面到基板的顶表面的距离;以及蚀刻聚合物层直至第二型半导体层,借以从聚合物层露出发光二极管的顶表面。本发明的方法能够减少制程阶段的数量或让制作过程的执行更简单,因此降低成本并提高制造效率。 | ||
搜索关键词: | 形成 导电 区域 方法 用于 发光二极管 接触 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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