[发明专利]半导体装置及其操作方法在审
申请号: | 202010073984.1 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN113130507A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置及其操作方法,其中半导体装置包括基板、第一及第二堆叠。基板包括由上表面向下延伸的第一掺杂浓度的掺杂区。第一堆叠设置于上表面上,包括交替堆叠的第一绝缘层及第一导电层、第一通道层、第一存储层以及第一导电连接件。第一导电层配置为接收第一电压。第一导电连接件设置于第一通道层上,具有第二掺杂浓度。设置于第一堆叠上的第二堆叠包括交替堆叠的第二绝缘层及第二导电层、第二通道层、第二存储层以及第二导电连接件。第二导电层配置为接收第二电压。第二导电连接件设置于第二通道层上,配置为接收擦除电压。第一导电连接件电性连接第一及第二通道层。第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 操作方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的