[发明专利]一种分子尺发夹结构及其用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法有效
| 申请号： | 202010076132.8 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111254144B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 于仲波;王泽瑜;梁琳;李旭;王军力 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C12N15/113 | 分类号： | C12N15/113;C12Q1/686;G16B25/20;G16B5/00 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分子尺发夹结构及其用于测量单分子磁镊空间尺度准确性的方法，首先构建茎干部分含有多个CCGG位点的发夹结构为分子尺发夹结构，将发夹结构固定于工作池表面，使用单分子磁镊实时监测磁珠的位置，计算可以得到分子尺发夹结构于两个相邻停顿态之间的精确长度，亦即相邻CCGG位点间长度。通过长度与碱基对数的转换，可以精确计算长度转换系数，并与蠕虫模型理论值进行比较，从而衡量单分子磁镊空间尺度的准确度。本发明可用于精密仪器准确度的标定，拓宽了衡量精密仪器准确度的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 发夹 结构 及其 用于 测量 空间 尺度 准确性 方法 | ||
【主权项】：
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