[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基板、位于基板上的第一及第二多晶硅层、第三多晶硅层、栅极介电层、栅极导电层、第一至第三隔离层、位线通孔接触与导电层。第三多晶硅层具有位于第一及第二多晶硅层间的凹部部分，凹部部分定义为内存元件的本体。第一隔离层邻接第一至第三多晶硅层。栅极介电层与栅极导电层位于第三多晶硅层中。第二隔离层位于栅极导电层与第三多晶硅层上。第三隔离层位于第一及第二隔离层上。位线通孔接触通过第一至第三隔离层。导电层位于位线通孔接触与第三隔离层上。通过使用前述的半导体元件，可增加半导体元件的密度，从而提升半导体元件的效能。