[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010079277.3 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112310279A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 大出裕之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种容易微细化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1电极及第2电极、设置在所述第1电极及第2电极之间的相变层、以及设置在第1电极及相变层之间的导电层。相变层包含第1晶格常数的面心立方晶格结构的结晶，导电层包含第2晶格常数的面心立方晶格结构的结晶。第2晶格常数大于所述第1晶格常数的80％且小于120％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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