[发明专利]确认方法在审
| 申请号： | 202010079650.5 | 申请日： | 2020-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN111564381A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 芥川幸人 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/301;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供确认方法，容易确认激光束的照射对被加工物的正面带来的影响。在确认用晶片的金属箔上形成两条线状加工痕(M1)和(M2)，对它们中间的基准位置照射激光束而形成改质层(T)。虽然不容易视认形成于基材的内部的改质层(T)，但是线状加工痕(M1)和(M2)明确地形成于金属箔(5)的正面上，因此能够容易地视认。因此，根据线状加工痕(M1)和(M2)，能够把握改质层(T)的位置、即改质层(T)形成时的激光束的照射位置。因此，用户能够获取激光束的照射位置和由于到达基材(2)的正面的激光束而形成的正面损伤(LD)的位置关系，因此能够容易确认激光束的照射对被加工物的正面带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 确认 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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