[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010080720.9 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111540784A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 德田悟 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。公开了一种实现小型化和高击穿电压二者的半导体器件。半导体器件具有形成在沿Y方向延伸的沟槽TR中的栅极电极G1和包括形成在漂移区域ND中的柱区域PC1到PC3的多个柱区域PC。柱区域PC1、PC2和PC3以交错方式设置，以夹住沟槽TR。连接柱区域PC1和PC2的中心的线与连接柱区域PC1和PC3的中心的线形成的角度θ1大于或等于60度且小于或等于90度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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