[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010080913.4 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111244071B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 胡思平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/48;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，包括：第一基底结构，所述第一基底结构包括第一半导体元件和位于所述第一半导体元件上的第一介电层；第二基底结构，所述第二基底结构包括第二半导体元件和位于所述第二半导体元件上的第二介电层；位于所述第一基底结构和第二基底结构之间的多功能导电层，所述多功能导电层的两侧分别与所述第一介电层、第二介电层连接，所述第一半导体元件、第二半导体元件在设定平面上的投影落入所述多功能导电层在设定平面上的投影内，所述设定平面垂直于所述第一介电层的厚度方向；以及用于接收/输出电信号的引出结构，所述引出结构沿所述厚度方向穿过所述第一基底结构，并延伸至与所述多功能导电层的局部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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