[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法和存储介质在审
| 申请号： | 202010081220.7 | 申请日： | 2020-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111663116A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 加我友纪直;西浦进;杉下雅士;西田政哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/46;C23C16/52;C23C16/54;C23C16/458;C23C16/34;C23C16/14;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;赵子翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够使形成在基板上的膜厚在批处理之间均等的技术。基板处理装置构成为具备：处理室，其容纳基板；加热部，其对处理室内进行加热；控制部，其进行控制以使得能够根据所设定的工艺参数而在基板上形成膜；计算部，其计算附着在处理室内的膜厚；存储部，其存储由计算部计算出的膜厚的累计值作为累计膜厚，控制部能够根据存储在存储部中的累计膜厚来决定工艺参数的温度以外的设定值。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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