[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010084870.7 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111740717A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 穆苑龙;项少华;王冲;王大甲;魏有晨 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H01L41/29;H01L41/047 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成图形化的光阻层之前，还在电极材料层上形成掩模材料层，并且在对掩模材料层执行图形化工艺时，仅将光阻层中的电极图形复制至掩模材料层的上部分中，从而在去除光阻层的过程中，可避免用于去除光阻层的剥离液侵蚀电极材料层。以及，在图形化的掩模层的掩模下，结合裁剪工艺进一步图形化电极材料层，以构成电极层，进而可以更为精确的控制电极材料层的消耗量，有利于保障所形成的电极层的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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