[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202010089629.3 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111584613A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;斋藤浩一;长谷川贵史 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种高耐压且高可靠性的半导体元件。半导体元件具备；半导体基板，具有主面；碳化硅半导体层，配置在导体基板的主面上；末端区域，配置在碳化硅半导体层内；绝缘膜，覆盖末端区域的一部分；电极，配置在碳化硅半导体层上；密封环，配置在末端区域的其他部分上且包围电极；以及钝化膜，覆盖绝缘膜的至少一部分以及密封环的至少一部分。将碳化硅半导体层的边部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部为止的距离设为L2，将角部的从密封环的外周端部到钝化膜的外周端部为止的距离设为L1，将角部的钝化膜的外周端部的曲率半径设为R1，则满足L1＞L2且R1≥L2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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