[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 202010091970.2 | 申请日: | 2020-02-14 |
公开(公告)号: | CN111571043B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 古田健次 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/53;B23K26/70 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供晶片的加工方法,能够抑制由激光束的照射而引起的器件的损伤。一种晶片的加工方法,该晶片在由多条第1分割预定线和多条第2分割预定线划分的多个区域的正面侧形成有器件,该晶片的加工方法具有如下的步骤:第1改质层形成步骤,在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的正面侧的第1区域的高度一致的状态下照射激光束,从而在第1区域中形成第1改质层;以及第2改质层形成步骤,在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的背面侧的第2区域的高度一致的情况下照射激光束,从而在第2区域中形成第2改质层,并且形成从晶片的正面至背面的龟裂,沿着多条第1分割预定线和多条第2分割预定线对晶片进行分割。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造