[发明专利]具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法有效
| 申请号： | 202010092018.4 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111640648B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 阿韦季克·哈鲁特云岩 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法”。本发明提供了一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法，该方法包括提供基底；在基底上提供碳纳米结构的对准图案；提供与碳纳米结构的图案的第一部分接触的第一金属部分和与碳纳米结构的图案的第二部分接触的第二金属部分；在基底和碳纳米结构的图案上沉积盐层；电阻加热碳纳米结构的图案以从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐，其中从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐在基底上提供盐图案；以及在盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层，其中金属二硫属元素化物原子层以对准的图案提供，该对准的图案均具有预定宽度。本发明还公开了根据本公开的方法制备的金属二硫属元素化物原子层的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 预定 宽度 原子 金属 二硫属 元素 直接 图案 化生 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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