[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010092192.9 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN112542507A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;蟹江创造;深津茂人;铃木拓马 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备碳化硅层，该碳化硅层具有元件区域和设置在元件区域的周围的末端区域，末端区域具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿第2方向延伸的第2直线部、以及第1直线部与第2直线部之间的角部，并且末端区域具有：第2导电型的第2碳化硅区域，包围元件区域，呈由第1点部和第1空间部构成的点线状，角部的第1点部所占的比例大于第1直线部的第1点部所占的比例；以及第2导电型的第3碳化硅区域，包围第2碳化硅区域，呈由第2点部和第2空间部构成的点线状，角部的第2点部所占的比例大于第1直线部的第2点部所占的比例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010092192.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
