[发明专利]一种改善硅抛光片平整度的方法在审

专利信息
申请号: 202010096161.0 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN111230605A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 石明;李诺;武卫;孙晨光;王聚安;王彦君 申请(专利权)人: 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 耿树志
地址: 214200 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明创造提供了一种改善硅抛光片平整度的方法,通过磨削改变硅片形貌,再通过低转速低压力高流量对硅片抛光,包括以下步骤:S1、待硅片腐蚀后对抛光面进行磨削,使硅片中部形成“碗状”凹陷;S2、采用抛光机对单晶硅晶片进行抛光;S3、对抛光后的单晶硅抛光片进行去蜡清洗。本发明创造所述的一种改善硅抛光片平整度的方法加工抛光后的硅片,测试其它参数指标,均要高于原始工艺水平,该检测结果表明,本工艺能实现高平整度硅抛光片的量产。
搜索关键词: 一种 改善 抛光 平整 方法
【主权项】:
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