[发明专利]形成半导体器件的方法及其结构在审
| 申请号： | 202010097253.0 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111584483A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | A·埃尔哈米·霍拉萨尼;M·格里斯沃尔德 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及形成半导体器件的方法及其结构。在一个实施方案中，半导体器件包括覆盖在半导体器件的掺杂区域上面的电阻器。所述电阻器形成为多边形螺旋形的图案。所述电阻器的所述图案的实施方案包括边和拐角。所述边的材料具有低电阻率，而所述拐角的材料具有较高的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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