[发明专利]具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件在审
| 申请号： | 202010102083.0 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111755505A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 小仓尚;广岛崇;谷口敏光;P·A·布尔克 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“具有源极区域区段和主体区域区段的晶体管器件”。在至少一个总体方面，装置可包括设置在半导体区域中并且包括栅极电极的第一沟槽和设置在半导体区域中的第二沟槽。该装置可包括设置在第一沟槽与第二沟槽之间的台面区域和设置在台面区域的顶部部分中的第一导电类型的源极区域。该装置包括设置在台面区域的侧中的第二导电类型的多个主体区域区段。多个主体区域区段沿着台面区域的侧限定与多个源极区域区段交替的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 区域 区段 主体 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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