[发明专利]双端口SRAM有效
| 申请号： | 202010104184.1 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111341360B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈品翰;吴栋诚;贾经尧 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双端口SRAM，将SRAM单元结构的两个端口对应的四个选择管在版图进行对称型设置，和相同的存储节点对应的两个属于不同端口的选择管设置在相同的有源区中，这样能使得不同存储节点对应的读取路径都对称且相同且不包括多晶硅线路。本发明能使各端口对两个存储节点的读取路径为对称结构，从而使得各端口对两个存储节点的读取电流对称且一致以及读取速度对称且一致，提高双端口SRAM的读取对称性。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 sram | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010104184.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种隧道开挖面岩体破碎程度快速测量方法
- 下一篇：一种数据发布方法及装置
