[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010106539.0 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112054057A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 郑揟珍;赵真英;金锡勋;柳廷昊;李承勋;李始炯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王凯霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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