[发明专利]具有背面接触金属化的晶体管结构的深源极和漏极在审
| 申请号： | 202010107593.7 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111725317A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | R.梅汉德鲁;T.加尼;S.塞亚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 晶体管结构包括由来自晶体管结构的正（例如，顶）面和背（例如，底）面两者的金属化来接触的深源极和/或漏极半导体。遵循可以是单晶的沟道区域的结晶性，深源极和/或漏极半导体可外延。源极和/或漏极半导体的第一层可具有较低的杂质掺杂，而源极和/或漏极半导体的第二层可具有较高的杂质掺杂。深源极和/或漏极半导体可在沟道区域下方延伸，并且可与子沟道区域的侧壁相邻，使得与晶体管结构的背面接触的金属化可穿过源极和/或漏极半导体的第一层的厚度来接触源极和/或漏极半导体的第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 背面 接触 金属化 晶体管 结构 深源极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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