[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法，根据一实施方式，半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配置在与衬底交叉的第1方向且在与第1方向交叉的第2方向上分别延伸；第1半导体层，在第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；存储部，设置在第1半导体层与多个导电层之间，与第1半导体层及所述多个导电层的一部分一起构成存储单元；及驱动电路，驱动存储单元。多个导电层遍及以下区域形成：第1区域，配置着多个存储单元；第2区域，设置在比第1区域更靠第2方向的端部；及第3区域，与第1区域及第2区域不同；且位于第3区域的部分与位于第1区域及第2区域的部分绝缘分离。驱动电路设置在第3区域，且具备：第2半导体层，在第1方向上贯通多个导电层且在第1方向上延伸；及绝缘层，设置在第2半导体层与多个导电层之间；第2半导体层的一端经由布线与第2区域的多个导电层连接，另一端与衬底连接。