[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010110647.5 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111682015A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;河大元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：下半导体衬底；与所述下半导体衬底交叠的上半导体衬底，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构，其中，所述第一层间绝缘膜位于所述下半导体衬底和所述上半导体衬底之间；和上接触，所述上接触连接到所述下半导体衬底，其中，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，其中，所述上接触包括第一部分和第二部分，所述第一部分穿透所述上半导体衬底，所述第二部分具有与所述上栅极结构的所述侧表面相邻的侧表面，并且所述第一部分的宽度朝着所述第二表面而减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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