[发明专利]修正掩膜图案的方法

摘要

本申请公开了一种修正掩膜图案的方法，其包括：提供原始掩膜，原始掩膜都包括基底和基底上方的图案结构，图案结构定义原始掩膜图案，原始掩膜图案都包括子图形；将基底缺陷都投影至辅助平面以形成缺陷投影；基于缺陷投影的位置在辅助平面上定义划片槽区域，划片槽区域将辅助平面分割为与子图形相对应的芯片区域，划片槽区域内的缺陷投影的数量大于芯片区域内的缺陷投影的数量；将原始掩膜图案的子图形都投影至各自所对应的芯片区域以在辅助平面上形成与芯片区域相对应的子图形投影；基于子图形投影在辅助平面上的位置分别调整每个子图形投影所对应的子图形在相应原始掩膜图案中的位置。本申请所公开的方法减少了基底缺陷对EUV光刻工艺的影响。