[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010116555.8 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380885A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 穆克军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括掺杂区，掺杂区内形成源区和/或漏区，掺杂区具有第一导电类型，源区和/或漏区具有第二导电类型；垫高层形成于源区和/或漏区上并与源区和/或漏区接触，垫高层具有第二导电类型；层间介质层形成于掺杂区和垫高层上；电极穿透介质层并延伸至垫高层内部以与垫高层电连接。本申请通过在源区和/或漏区上增加垫高层，在开设接触孔的刻蚀过程中，即使刻蚀工艺精度不高，也可以减小接触孔过于接近耗尽层而导致结漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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