[发明专利]沉浸式显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010119358.1 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111627957B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 陈慧修;柳宜政;魏丽真;江彦志 | 申请（专利权）人： | 创王光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 中国台湾新竹县30*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 揭示一种沉浸式显示装置及其制造方法。沉浸式显示装置包括衬底、像素阵列以及眼球追踪器。像素阵列设置在衬底上，其中像素阵列于水平方向具有第一解析度，像素阵列于垂直方向具有第二解析度，第一解析度与人眼的可视水平视角之一比值实质上大于或等于60，第二解析度与人眼的可视垂直视角之一比值实质上大于或等于60。眼球追踪器设置于衬底的一侧，其中眼球追踪器用于追踪人眼位置。 | ||
| 搜索关键词： | 沉浸 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
