[发明专利]场效应晶体管和半导体器件在审
| 申请号： | 202010119402.9 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111627997A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 秋山千帆子 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/00;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种场效应晶体管和半导体器件。场效应晶体管包括：半导体区，其包括在第一方向上并排布置的第一非有源区、有源区和第二非有源区；在有源区上的栅电极、源电极和漏电极；在第一非有源区上的栅极焊盘；栅极保护部，其在半导体区上并与半导体区接触，该栅极保护部与栅极焊盘分开并且位于半导体区的第一非有源区侧上的边缘与栅极焊盘之间；在第二非有源区上的漏极焊盘；漏极保护部，其在半导体区上并且与半导体区相接触，该漏极保护部与漏极焊盘分开并且位于半导体区的第二非有源区侧上的边缘与漏极焊盘之间；以及金属膜，该金属膜被电连接到栅极保护部。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电工光电子器件创新株式会社，未经住友电工光电子器件创新株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010119402.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：沉浸式显示装置及其制造方法
- 下一篇：光纤
- 同类专利
- 专利分类
