[发明专利]S波段GaN MMIC低噪声放大器在审
| 申请号： | 202010120589.4 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111327277A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;卓锦;李杰;首照宇;刘兴鹏;陈春明;孙堂友;陈永和;李琦;高喜;傅涛;张法碧;李思敏;陈志强 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/68 |
| 代理公司： | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 张学平 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 波段 gan mmic 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
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