[发明专利]光电探测面板在审
申请号: | 202010121315.7 | 申请日: | 2020-02-26 |
公开(公告)号: | CN111293180A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 梁魁;孙拓;张宜驰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L27/14 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种光电探测面板,所述光电探测面板包括低压电极层、高压电极层和非晶硅层;所述非晶硅层沿竖直方向包括导电部和绝缘部,所述导电部配置为在光照时可产生光载流子,所述非晶硅层的所述绝缘部填充于所述低压电极层和所述高压电极层的间隙中,并且覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上表面。通过上述设置,非晶硅层能够较好的覆盖低压电极层和高压电极层,保证信号传输的稳定性,同时,非晶硅层的均匀性较好,可避免光电探测面板出现显示亮度不均匀的问题。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测 面板 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的