[发明专利]ESD保护结构有效
申请号: | 202010122153.9 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111244089B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 陈国利;黄俊维 | 申请(专利权)人: | 成都纳能微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种ESD保护结构,包括输入电压端、与所述输入电压端相连的RC触发电路、与所述RC触发电路相连的正反馈电路、与所述RC触发电路和所述正反馈电路相连的反相器电路、与所述正反馈电路和所述反相器电路相连的钳位电路及与所述RC触发电路和所述钳位电路相连的接地端,所述RC触发电路控制所述反相器电路的输入端电压的上升时间,所述ESD保护结构通过所述正反馈电路加快所述反相器电路的输入端电压的上升时间,所述钳位电路泄放ESD电流。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的