[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010122193.3 申请日: 2020-02-27
公开(公告)号: CN112186030A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 向井章;藏口雅彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L29/20 分类号: H01L29/20;H01L29/06;H01L29/68
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式,半导体装置包括第1~第3电极、第1~3半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x11)。第2半导体区域包含Alx2Ga1‑x2N(0x21、x1x2)。第3半导体区域包含Alx3Ga1‑x3N(0x3≤1、x1x3)。第1半导体区域的第6部分区域包括与第2半导体区域的第1半导体部分相向的第1面、和与第3半导体区域的第1半导体膜部相向的第2面。所述第2面的至少一部分与所述第1面之间的第1角度小于90度。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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