[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202010123734.4 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314457B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 杨年旺;王玉尘 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成互连层以及覆盖于所述互连层表面的导电层；形成覆盖所述导电层背离所述互连层表面的保护层；形成贯穿所述保护层和所述导电层的沟槽；填充介质层于所述沟槽内，并于所述介质层中形成空气隙，所述空气隙自所述导电层中的所述沟槽内延伸至所述保护层中的所述沟槽内。本发明一方面，减少甚至是避免了在所述导电层中出现削角和倒线的现象；另一方面，空气隙高度的增大降低了金属层发生裂缝的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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