[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

摘要

本公开涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法，其包括形成衬底，所述衬底包括：导电层；绝缘体蚀刻终止层，其位于所述导电层之上；选择栅极层，其位于所述绝缘体蚀刻终止层之上；以及堆叠，其包括所述选择栅极层之上的竖直交替的绝缘层和字线层。蚀刻穿过所述绝缘层、所述字线层以及所述选择栅极层进行到所述绝缘体蚀刻终止层且在所述绝缘体蚀刻终止层上终止，以形成具有包括所述绝缘体蚀刻终止层的各个底部的沟道开口。穿透所述绝缘体蚀刻终止层以使所述沟道开口中的各个穿过所述绝缘体蚀刻终止层延伸到所述导电层。在所述各个沟道开口中形成沟道材料，所述沟道材料竖向地沿着所述绝缘层、所述字线层以及所述选择栅极层且与所述导电层中的导电材料直接电耦合。公开了独立于方法的结构。