[发明专利]半导体装置的制造方法及金属的层叠方法在审
| 申请号： | 202010127923.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN112242306A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 古谷健悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够将使用非电解镀的金层的形成时间缩短的半导体装置的制造方法及金属的层叠方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、有选择地设于上述半导体部上并与上述半导体部电气地连接的电极、和设于上述电极上的多层的金属层。在上述半导体装置的制造方法中，在上述电极上有选择地形成第1金属层；形成将在上述第1金属层上形成覆盖的钯层；形成将在上述钯层上形成覆盖的第2金属层；将上述第2金属层置换为金层，在上述钯层上直接形成金层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 金属 层叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
