[发明专利]具有垂直沟槽的源极或漏极结构

摘要

描述了具有带有垂直沟槽的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括鳍，所述鳍具有下鳍部分和上鳍部分。栅极堆叠处于所述鳍的所述上鳍部分之上，所述栅极堆叠具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第一侧被嵌入所述鳍中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第二侧被嵌入所述鳍中的外延结构。所述第一和第二源极或漏极结构的所述外延结构具有在其中居中的垂直沟槽。所述第一和第二源极或漏极结构包括硅和V族掺杂剂杂质。