[发明专利]一种碲化镉晶体的低温液相制备方法在审
| 申请号： | 202010129310.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111204718A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈道理;杨绪勇;委福祥 | 申请（专利权）人： | 盱眙新远光学科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211700 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，包括以下步骤：步骤(1).将高纯碲及高纯镉按照质量配比4∶6的比例混合，加入质量分数为高纯碲及高纯镉总量1‑5％的纳米碲化镉；步骤(2).将上述原料进行球磨混料，使高纯碲、高纯镉及纳米碲化镉均匀混合；步骤(3).将上述混合均匀的原料装入高温炉，设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉化学液相反应，形成晶体；步骤(4).将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体，并用真空封装机封口。本发明不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制成的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 晶体 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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