[发明专利]一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜有效

专利信息
申请号: 202010129619.8 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN111383804B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 盛飞;曾西平 申请(专利权)人: 深圳市华科创智技术有限公司
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/22;B05D3/04;B05D7/04
代理公司: 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 代理人: 王庆海;刘军锋
地址: 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及导电膜领域,尤其涉及一种改进向异性的纳米线导电膜的制备方法及纳米线导电膜。该纳米线导电膜采用以下方法制备:提供纳米线导电墨水和基膜;将纳米线导电墨水涂布在基膜上形成湿膜,在与基膜前进方向垂直位置设置持续性风切流,改变湿膜中部分纳米银线的取向;湿膜沉积、烘干固化成型,得导电膜。本发明在将导电墨水涂布在基膜上形成湿膜后,对湿膜沿与其前进方向垂直的方向进行持续风切,有选择性的改变纳米线在流平过程中的取向;本发明将风切过程设置于自流平环节,容易实现对纳米线取向的调节,本发明的导电膜垂直基膜前进方向的阻值与沿基膜前进方向的阻值比为1.05‑1.13,阻值均匀。
搜索关键词: 一种 改进 异性 纳米 导电 制备 方法
【主权项】:
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