[发明专利]SRAM存储单元有效
| 申请号： | 202010134136.7 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111415691B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋建伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体集成电路，具体涉及一种SRAM存储单元。其中包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管，以及第一传输管和第二传输管；第一传输管的第一端连接第一位线，第一传输管的另一端连接第一存储节点；第二传输管的第一端连接第二位线，第二传输管的另一端连接第二存储节点；第一存储节点还连接第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极；本发明可以解决相关技术中静态噪声容限低、漏电功耗高的问题，提高静态噪声容限以提高SRAM存储单元的良率，降低静态模式下的漏电功耗，进而更适合超低漏电的应用。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 | ||
【主权项】：
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