[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序在审
| 申请号： | 202010137523.6 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112563107A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 中川崇;广濑义朗;大桥直史;高崎唯史 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明对于在使基板公转的同时对其处理的装置提供能够均匀处理基板面内的基板处理装置，其具有：基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；旋转部，其使基板载置盘旋转；气体供给构造，其处于基板载置盘的上方，且配置于从基板载置盘的中心到外周的范围；气体供给部，其包含气体供给构造，并控制从气体供给构造供给的气体供给量；气体排出构造，其处于基板载置盘的上方，且设于气体供给构造的旋转方向下游；气体排出部，其包含气体排出构造，并控制从气体排出构造排出的气体排出量；和气体主成分量控制部，其具备气体供给部和气体排出部，并控制针对基板的气体主成分量，气体主成分量控制部能够调节从中心到外周向基板供给的气体的主成分的量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 记录 介质 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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