[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010142793.6 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN112509614A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 位田友哉 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备N型的第1阱区域和P型的第2阱区域、设置于第1阱区域的PMOS晶体管以及设置于第2阱区域的NMOS晶体管。PMOS晶体管包括第1栅极绝缘层和第1栅电极。NMOS晶体管包括第2栅极绝缘层和第2栅电极。第1栅电极包括P型的第1半导体层、第1绝缘层以及第1导电体层。第2栅电极包括N型的第2半导体层、第2绝缘层以及第2导电体层。第1绝缘层的膜厚比第2绝缘层的膜厚厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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