[发明专利]具有栅极插塞或接触部插塞的自对准栅极端盖（SAGE）架构在审
| 申请号： | 202010146768.5 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111668188A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | S·苏布拉玛尼安;W·M·哈菲兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有栅极插塞或接触部插塞的自对准栅极端盖(SAGE)架构以及制造具有栅极插塞或接触部插塞的SAGE架构的方法。在示例中，一种集成电路结构包括第一半导体鳍状物上方的第一栅极结构。第二栅极结构在第二半导体鳍状物上方。栅极端盖隔离结构在第一和第二半导体鳍状物之间，并且横向地处于第一和第二栅极结构之间并与第一和第二栅极结构接触。栅极插塞在栅极端盖隔离结构上方，并且横向地处于第一栅极结构和第二栅极结构之间。晶体金属氧化物材料横向地处于栅极插塞和第一栅极结构之间并与栅极插塞和第一栅极结构接触，并且横向地处于栅极插塞和第二栅极结构之间并与栅极插塞和第二栅极结构接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 接触 部插塞 对准 sage 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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