[发明专利]IGBT模块封装方法及装置在审
申请号: | 202010147805.4 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111341670A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 王景宁;陈毅豪 | 申请(专利权)人: | 山东斯力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;B23K1/00;B23K3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 255000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请是关于一种IGBT模块封装方法及装置。一种IGBT模块封装方法,包括:在真空环境下焊接所述IGBT模块。本申请实施例中通过形成真空环境,并在真空环境下焊接IGBT模块,有利于减少焊接处空洞的数量。并且,本实施例中通过在焊接环境中输入氮气,利用大气压和空洞内气体的压力差使空洞封装收缩到焊锡内部,可以抑制空洞,防止焊锡飞溅。 | ||
搜索关键词: | igbt 模块 封装 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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