[发明专利]阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202010150656.7 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111384239A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 康赐俊;沈鼎瀛;刘宇;邱泰玮;王丹云 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法，其中，阻变式存储器包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。本发明可提高阻变式存储器的使用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变式 存储器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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