[发明专利]SRAM存储阵列和存储器有效
申请号: | 202010152985.5 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN111370043B | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 王林;陈根华;徐柯 | 申请(专利权)人: | 展讯通信(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种SRAM存储阵列和存储器。其中,SRAM存储阵列通过将BANK[0]的跟踪电路设计在BANK[1]中,并且,通过BANK[1]的RBL为BANK[0]提供基准信号,使得BANK[1]可以跟踪BANK[0],以在合适的时间,根据RBL与基准信号的比较结果,读取到BANK[0]中存储单元内存储的数据。同理可读取BANK[1]中的数据。本申请基于SRAM的存储阵列的结构特点,获得基准信号,而不需要额外设置用于产生基准信号的电路,减少了芯片的面积和功耗,减少芯片的制作和使用成本,降低了芯片的制作难度。 | ||
搜索关键词: | sram 存储 阵列 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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