[发明专利]一种检测半导体制作工艺缺陷的方法有效
| 申请号： | 202010162151.2 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113376968B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 蓝元谷 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种检测半导体制作工艺缺陷的方法。该方法包括在在基板上形成光刻胶；在光刻胶中形成荧光剂；利用荧光剂检测显影后的光刻胶的缺陷。本发明实施例提供的技术方案可以降低对显影后的光刻胶进行缺陷检测的难度，提高缺陷检测准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 半导体 制作 工艺 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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