[发明专利]一种SOI精细掩模版及其制作方法有效
| 申请号： | 202010165710.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111334750B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张盎然;朱海彬;张粲;康亮亮;袁丽君;丛宁;王灿;玄明花 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及Micro OLED显示技术领域，公开一种SOI精细掩模版及其制作方法，包括多个掩膜单元，掩膜单元具有承载区和开孔区，承载区围绕开孔区；掩膜单元包括：硅基底层，硅基底层与开孔区对应的部位开设有第一通孔；填充于硅基底层的填充层；氧化硅绝缘层，氧化硅绝缘层与开孔区对应的部位开设有第二通孔，第二通孔靠近氧化硅绝缘层的开口在硅基底层的正投影覆盖第一通孔靠近氧化硅绝缘层的开口在硅基底层的正投影；硅器件层，硅器件层上与开孔区对应的部位开设有多个第三通孔，第三通孔的尺寸小于第二通孔的尺寸。该掩模版整体应力小、变形量小，有效避免了蒸镀过程中因掩模版与基板贴合不紧密导致的阴影效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 精细 模版 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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