[发明专利]一种晶圆的切割方法有效
| 申请号： | 202010166331.8 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111446161B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶圆的切割方法，切割方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、减薄、粘合剂去除、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过正面切割、一次固定、减薄、粘合剂去除、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行两次切割获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，实现对晶圆进行两次切割获得晶粒减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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